資深電容經銷商上海工品實業有限公司技術VDTCAP談可控硅IGBT模塊等并聯阻容吸收電路的選型與計算
為什么要在晶閘管兩端并聯阻容網絡,阻容吸收電容的計算：A、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇
電容的選擇
C=(2.5-5)×10 的負8 次方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值，如果整流側采用500A 的晶閘管(可控硅)，可以計算C=(2.5-5)×10 的負8 次方×500=1.25-2.5mF，選用2.5mF，1kv 的電容器
電阻的選擇：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56，選擇10 歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的負12 次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相電壓的有效值
阻容吸收回路在實際應用中，RC 的時間常數一般情況下取1~10 毫秒。小功率負載通常取2 毫秒左右，R=220 歐姆1W，C=0.01 微法400~630V。大功率負載通常取10 毫秒，R=10 歐姆10W，C=1 微法630~1000V。
R 的選取：小功率選金屬膜或RX21 線繞或水泥電阻；大功率選RX21 線繞或水泥電阻。
C 的選取：VDTCAP品牌FK或者FJ 系列相應耐壓的無極性電容器。

B:在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯RC 串聯網絡，該網絡常稱為RC 阻容吸收電路。
我們知道，晶閘管有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN 結組成。在晶閘管處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2 結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3 結，這個電流起了門極觸發電
流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0 的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運行，常在晶閘管兩端并聯RC 阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C 串聯電阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。
看保護對象來區分：接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A 電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇；接觸器觸點和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。

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