一、IGBT爆炸是由于某些原因造成模塊損耗大導致熱量散不出去，內部溫度升高導致的產生氣體沖破外殼的爆炸。

二. IGBT爆炸原因分析

1.模塊本身內部發熱過大

2.其他因素：進出線接錯，電源接錯，負載大
3.常見原因： (1)過電流 ：一種是負載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導致上下橋臂元件直通。 (2)絕緣損壞 (3)過電壓 ：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設計高性能吸收回路，降低線路雜散電感。 (4)過熱 ：IGBT不能完全導通，在有電流的情況下元件損耗

增大，溫度增加導致損壞。 (5)通訊誤碼率 a.通訊一段時間后，突然的錯誤信息導致IGBT誤導通使 IGBT爆炸b.通訊板FPGA程序運行不穩定導致IGBT誤導通使IGBT爆炸4其他原因(1)電路中過流檢測電路反應時間跟不上。

(2)IGBT短路保護是通過檢測飽和壓降，而留給執行機構的時間一般是10us(8倍過流)在上電的時候容易燒預充電電阻和制動單元里的IGBT。

(3)工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。

(4)短時電流過大

(5)驅動電源：該隔離加隔離、該濾波加濾波。

(6)電機沖擊反饋電壓過大導致IGBT爆炸。但對于充電時爆炸的情況發生的概率不是很大。

(7)電機啟動時，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復后電容充電時的浪涌電流過大致使IGBT爆炸