科技日報12月28日消息，12月26日，記者從中車時代電氣獲悉，由公司牽頭完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關鍵技術”項目，日前通過中國電子學會組織的成果鑒定。通過該項目的實施，公司研制出了世界功率等級最高的壓接絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）。據悉，這也是我國首次實現壓接型IGBT技術的零突破。

壓接型IGBT是柔性直流輸電領域的核心器件。外形上看，器件與晶閘管等器件相似。但其主要通過并聯多個“子單元”部件實現功率容量。芯片與電極間的電氣連接，則通過壓力實現。與傳統焊接型IGBT 模塊相比，該類模塊具容量大、高可靠性、失效短路模式等優點。

中車時代電氣副總工程師劉國友介紹，此次研制出的3600A/4500V 壓接型IGBT模塊，是目前市場可見產品中容量大，具雙面散熱、長期穩定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞壓接型芯片、基于低溫納米銀燒結的芯片強化、大面積方形陶瓷管殼并聯均流封裝等多項核心技術，突破了芯片大規模并聯壓接封裝中的壓力均衡及電流均衡的技術難題，實現了器件特性與可靠性的雙重提升。該大容量壓接型IGBT模塊，現已通過多家電網企業的柔直換流閥級的示范應用驗證試驗，可達量產及工程化應用要求。