能耗管理需求日益強烈，功率半導體市場空間廣闊

功率半導體作為需求驅動型產業，受益于新能源汽車、工業控制等終 端市場能耗管理需求的日益強烈，市場保持穩步增長。集邦咨詢數據 顯示 2018 年中國功率半導體市場規模同比增長 12.76%至 2591 億元 人民幣。IHS預估全球車用功率半導體市場規模 2022 年將達到 85 億 美元，2015~2022 年復合增長率為 7.5%。中國大陸市場需求占全球 份額約 43%，但國內廠商自給率卻只有約 5%，進口替代空間巨大。中美貿易新形勢，政策支持助力半導體國產廠商迎來發展良機

美國技術管制打壓我國半導體產業發展，中國作為工業和交通大國， 功率器件和電源管理芯片需求旺盛，半導體自主可控涉及經濟和戰略 安全，政府政策和產業基金大力支持，國產廠商迎來發展良機。生產端 政府聯合投資克服制造業高投資門檻，客戶端半導體器件和芯片國產 化意愿明顯，產品驗證門檻降低。

國內產業鏈逐步完善，靜待技術迭代

功率器件和芯片產品多樣，定制化程度高，研發投入門檻相對低，功率 半導體對制程敏感度不及數字電路，國際主流產線依舊為 6 寸和 8 寸 產線，這也為國內企業進入該領域創造了合適的條件，功率半導體是 國產半導體比較好的突破口。目前國內士蘭微等企業在功率 IC 領域已 取得一定成就，相應模塊產品已導入白電產業鏈。捷捷微電、臺基股份 等在晶閘管領域實現了部分的進口代替，國內產業鏈已逐步完善，未 來國內企業將伴隨市場需求進行技術迭代，追趕國際領先企業。

報告摘要：

1. 功率半導體是微電子領域的重要基礎器件

1.1功率半導體主要用作電子器件中的開關及整流器

功率半導體是硅、砷化鎵、氮化硅等半導體材料，經歷沉積、清除、布線以及電學屬 性的調整等工藝后，所得到的電學器件。功率半導體的應用十分廣泛:從幾十毫瓦的 耳機放大系統，到上千兆瓦的高壓直流傳輸過程;從儲能、家電，到 IT 產品、網絡 通訊，只要是涉及電的領域，都有著它的影子。

1.2功率半導體歷史悠久，產品類型豐富多樣

功率半導體發展歷史悠久，最早可以追溯到 1904 年法國實驗者 A.Nodon 發明的第 一個用于電源電路的半導體器件——電解整流器。這深受早期無線電實驗者的歡迎。 而隨著科技的發展，功率半導體在電子領域的重要性逐漸凸顯出來，至今，功率半導 體已經成為電子電力行業的核心。

功率半導體用處廣泛、種類繁多，而在銷售市場中，分立器件主要以功率二極管、晶 閘管、功率 MOSFET和 IGBT 模組為占比最大的四個方面。此外，模擬集成電路中 的功率集成電路也是功率半導體的重要組成之一。

1.2.1功率二極管為兩極元器件，應用范圍廣泛

二極管是一種不可控的兩極元件，由于其有電流電壓曲線不對稱，因此一般被用作交 流變直流的整流器件以及電路方向電流控制等方面。

二極管存在著齊納效應與雪崩效應。齊納效應為高反向電壓將硅原子的電子拽出，稱 為自由帶電離子，導致電流上升很陡，反應在二極管上即為相對較低的反向擊穿電壓。 雪崩效應則為在反向電壓很大時，反向的載流子能量很高，撞在硅原子上使之電離， 產生出大量的電子，導致反向電流迅速增大。

二極管產品類型很多，按用途分可以分為普通二極管和特殊二極管。普通二極管包括 檢波二極管、整流二極管、開關二極管和穩壓二極管;特殊工極管包括變容二極管、 光電二極管和發光二極管。

1.2.2晶閘管為半可控器件，可用于高電壓和大電流環境

晶閘管是一個半可控的半導體元件，能控制打開，無法控制關閉。被廣泛應用于可控 整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制 大電流的設備。

晶閘管的其派生器件有:快速晶閘管，可關斷晶閘管(GT0)，逆導晶閘管，光控晶 閘管等。晶閘管往往有著閂鎖效應，閂鎖效應(latch – up)就是有一個強電場施加在器 件結構中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡 線會由于大電流而損壞，并會由于浪涌電流造成的過熱而形成開路。

1.2.3功率 MOSFET 作為全控型器件下游應用市場最大

功率 MOSFET 的特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功 率小、開關速度快、工作頻率高，是制造AC-DC開關轉換器(將交流電壓轉換成直流 電壓) 和 DC-DC 轉換器(將一個直流電壓等級轉換成另一個電壓等級) 的必要器件。

功率 MOSFET 模組的等效電路包含三個電容、兩個電阻，一個理想 MOSFET，一 個 NPN 晶體管以及一個寄生 NPN 晶體管基極-發射極之間的電阻。而這個寄生電阻 與其寄生的 NPN 晶體管的基極-發射極部分構成了逆向二極管，使得功率 MOSFET 具有反向導通性。

1.2.4 IGBT 作為高壓功率器件正在快速發展

IGBT絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)一般指分立器件或 者IGBT模組。IGBT 分立器件是由三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, IGBT 兼有 MOSFET 和 GTR 這兩種器件的有點，輸入阻 抗高、導通壓降低和驅動功率小。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系 統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊是由 IGBT 與 FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模 塊化半導體產品，具有節能、耐壓高、安裝維修方便、散熱穩定等特點。IGBT 是能 源變換與傳輸的核心器件，在軌道交通、智能電網、電動汽車與新能源裝備等領域應 用極廣。

2015年國際 IGBT 市場規模約為 48 億美元，預計到 2020 年市場規模可以達到 80 億美元，年復合增長率約 10%。2014 年國內 IGBT 銷售額是 88.7 億元，約占全球 市場的 1∕3。預計 2020 年中國 IGBT 市場規模將超 200 億元，年復合增長率約為 15%。國外企業如英飛凌、 ABB、三菱等廠商研發的 IGBT 器件產品規格涵蓋電壓 600V-6500V，電流 2A-3600A，已形成完善的 IGBT 產品系列。

功率器件種類較多，根據不同的器件特性分別應用于不同的應用領域。二極管晶閘管 等傳統器件雖然是不可控或半可控器件，但優點是成本低，生產工藝相對簡單，在大 量中低端領域還是大量使用。IGBT 等器件更多應用于高壓高可靠性領域，器件結構 相對復雜并且生產工藝門檻高，成本相對較高，在軌道交通、汽車等領域廣泛使用。

由于電路越來越復雜、越來越具有多樣性，因此功率器件的種類也隨之不斷的多元化。 除去上述四種功率分立器件外，還有很多其他的功率半導體。功率半導體器件在中國 大陸的工業、消費、軍事等領域都有著廣泛應用，具有很高的戰略地位，因此中國功 率半導體自主可控之路勢在必行。

由于電路越來越復雜、越來越具有多樣性，因此功率器件的種類也隨之不斷的多元化。 除去上述四種功率分立器件外，還有很多其他的功率半導體。功率半導體器件在中國 大陸的工業、消費、軍事等領域都有著廣泛應用，具有很高的戰略地位，因此中國功 率半導體自主可控之路勢在必行。

1.3功率半導體種類繁多，有多種分類方式

功率半導體種類繁多、用途廣泛，因此從不同角度出發、根據不同用途，對功率半導 體有著不同的分類方法。一般而言，功率半導體可以從五個角度去分類:控制類型、 驅動方式、載流子類型、材料特性以及半導體的集成度。

1.3.1控制類型-不可控、半可控、全控型

控制類型是通過判斷該功率半導體是否主動可控制其打開、關閉來進行分類，一般情 況下分為三類:不可控，半可控以及全控型。

1.3.2驅動方式-電流、電壓、光學

驅動方式是根據該功率器件受何種動力因素而打開或者關閉，常見分為:電流驅動、 電壓驅動與光控。

1.3.3載流子類型-單極型、多極型、混合型

載流子類型分類通常僅僅用在對功率器件運作機理的理論分析上，在市場上極少采 取此種分類方式。

1.3.4材料特性-從單晶材料過渡到化合物半導體材料

制作功率半導體器件的材料必須擁有一個足夠大的禁帶寬度，以確保在較高的工作 溫度下，本征載流子濃度也不會超過輕摻雜區的濃度，避免器件紊亂。而隨著禁帶寬 度的增加，臨界擊穿電場也會增高，器件可以做到更高的耐壓。當然，過大的禁帶寬 度會導致雜質電離更困難，使自建電勢和閾值電壓增高。除去物理性質，制作功率半 導體器件的材料還被要求化學狀態穩定。在功率半導體發展歷史上，功率半導體可以 分為三代。

第三代半導體材料為未來發展的重點，但由于當前技術相對不是很成熟和高成本原因導致應用還并不普及，市場上主流的還是以硅為材料的功率半導體器件。

1.3.5 集成度-從分立器件發展至功率集成 IC

按照集成度可以分為功率半導體分立型器件、功率模組和功率集成電路三類。

功率分立器件由功率二極管、晶閘管等器件組成，為電路中最基本的元件。

功率模組往往為實現特定功能(如開關、電路保護等)而將一些分立器件的芯片組合 并重新組合絕緣得到。若將分立器件簡單集中在一起，由于每個元件的散熱片是同半 導體器件的一個主要端口相連接，因此必須相互隔離并用導線連接。這樣在材料、體 積、生產工時等方面都是十分浪費的。

功率集成電路，是模擬集成電路的主要構成，主要是指由電容、晶體管、其他功率分 立器件等組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號的集成電路。功率集成電路的主要構成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。功 率集成電路，有著體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性高、性能好、 成本低、便于大規模量產等優點。

1.4功率半導體通過晶圓制造獲得成品

功率半導體器件的生產過程大致上可以分為:材料晶圓的制作，功率器件芯片的生產，對芯片的封裝以及最后的下游應用這四個階段。

1.5歐美日企業占據全球絕對主導位置

功率半導體的應用領域非常廣泛，市場規模高達數百億美元。根據Yole數據，2018 年全球功率半導體分立的器件市場規模為363 億美元，預計到2022年達到426 億美元，復合增長率為5.43%。

根據IHS 統計，2017 年英飛凌占據全球市場的18.5%，約為第二名安森美公司的兩倍;此外，全球前五的企業均為歐日美的企業，加起來約占據全球份額的50%。前十的企業中也沒有大陸地區的企業，目前在功率半導體行業中國企業還有很大的追趕空間。

中國大陸占有全球份額的 43%，且隨著國內環保意識的逐漸增強，對功率半導體器 件的需也會逐漸增大。但是，中國大陸在功率半導體器件領域幾乎處于全產業鏈落后 的被動局面，包含國際大廠產能在內的國內市場自給率大約只有 10%，而由本土企 業貢獻的份額甚至只有 5%，這其中還包括了功率二極管等本土最具優勢的中低端器 件，其余產品供應主要依賴進口實現。其主要原因，在于中國大陸企業受起步晚、技 術水平較低、產品線不齊全、企業規模小等因素，還處于追趕狀態，遠遠落后于老牌 企業。

但目前本土企業也發展迅速，已基本完成了產業鏈的布局，且在功率半導體領域呈現 展現多點開花的良好形勢。

2018年，中國半導體行業協會對國內的半導體廠商進行了評定，評選出了大陸十大 半導體功率器件廠商，這些廠商均以功率半導體器件為主營業務，且各有特色，如華 微電子的 IGBT 生產線、揚杰科技的“MCC”雙品牌等。

除此之外，還有許多公司因其主要產品并非功率器件而未被收入該榜單，但實際上在 功率器件領域也已經有很大的發展。杭州士蘭微在功率半導體領域已經形成分立器 件、功率 IC 等體系化產品構成;捷捷微電打造成國內晶閘管領域的龍頭;三安光電 則在化合物半導體領域積極布局。2018 年底，聞泰科技收購安世半導體，成為國內 標準器件和功率半導體的龍頭，這極大地增強了該公司在功率半導體領域的競爭力。

1.5.1 MOSFET 市場需求最大，依舊海外廠商占據主導

MOSFET是功率分立器件最大市場。根據 Yole 預測，在 2017 年，全球 MOSFET 市場規模為 58.35 億美元，占總市場的 35.4%，功率 MOSFET 下游應用包含計算 機、消費電子等行業，因此在未來幾年內，功率 MOSFET 將依舊保持著增長的勢頭。 但在全球競爭格局之中，功率 MOSFET 幾乎集中在國際大廠之中，英飛凌、安森美 和瑞薩加起來占據了全球市場的僅 50%。

1.5.2 IGBT 市場成長迅速，國內外差距巨大

作為新能源汽車、高鐵動車、智能電網等新興產業不可缺少的一部分，IGBT 在上世 紀八十年代被設計出來之后，就開始了飛速發展的道路，并逐步成為功率半導體分立 器件的核心所在。

根據 Yole 預測，在 2018 年，全球 IGBT 市場(包括 IGBT 與 IGBT 模組)規模約為 48.97 億美元，占功率半導體分立器件市場的 25%，此外，由于 IGBT 是新能源車必 不可缺的半導體器件，下游依舊保持著強勁的增長。但在全球競爭市場之中，IGBT 是英飛凌、三菱、富士電機等國際廠商的天下，此三家就已經占據全部市場份額的 50% 以上。

而在大陸地區，數據顯示 2017 年中國 IGBT 的需求量為 6680 萬只，而產量卻僅有 820 萬只，絕大多數依靠著進口。而 IGBT 又是軌道交通、智能電網等中國重點發展 行業不可缺少的一部分，因此在未來這個缺口會進一步的增大。

1.5.3功率集成 IC 領域歐美企業領先全球

電子電力系統均離不開電源供應，因此電源管理芯片(包括標準的功率 IC 以及模擬 ASSP 用途的功率 IC)也是功率半導體領域的中流砥柱，市場規模龐大。根據IHS的統計數據，2017 年全球功率 IC 市場的總市場規模為 236 億美元，其中德州儀器 獨占鰲頭，擁有 15.9%的市占率，高通以 8.1%排名第二，英飛凌 7.6%排第三。前 十均為歐日美大型企業。而在中國對功率 IC 的需求同樣巨大，根據集邦咨詢最新數 據，2018 年中國大陸地區電源管理 IC 市場規模為 717 億元人民幣，較 2017 年同比 增長 8%。市場研調機構 TMR 預估，2013~2019 年全球電源管理 IC 市場年復合增 長率(CAGR)將達 6.1%。2012 年全球電源管理 IC 市場規模達 299 億美元，到 2019 年預估規模將成長到 460 億美元。

功率 IC 作為模擬 IC 的主要構成部分，其充分體現了模擬集成電路行業的四個特點: 從需求端角度，下游需求分散，產品生命周期較長;從供給端角度，偏向于成熟和特 種工藝，目前以八寸產線為主，部分國際大廠已經實現 12 寸功率產線的量產;從競 爭端角度，競爭格局分散，廠商之間競爭壓力小;從技術端角度，行業技術壁壘較高， 重經驗以人為本。

2.能源管理時代下游行業蓬勃發展帶來旺盛需求

功率器件是進行功率處理，具有處理高電壓，大電流能力的半導體器件。典型的功率 處理包括變頻、變壓、變流、功率管理等，所以功率器件幾乎用于所有的電子制造業。 目前功率半導體的應用范圍已從傳統的工業控制和 4C 產業(計算機、通信、消費類 電子產品和汽車)擴展到新能源、軌道交通、智能電網等新領域。Gartner 統計數據 顯示汽車行業越來越成為下游主要需求方。隨著功率半導體器件性能的提高以及各 產品追求低功耗和高能效比，光伏、智能電網、汽車電子、5G 通訊等熱點應用領域 將在推動功率半導體行業穩定發展的同時，進一步優化下游市場結構。

與國際市場相比，中國汽車電子的應用比例小于國際市場，但隨著新能源汽車在國內 的逐漸推廣以及配套充電站的普及，汽車電子有望成為功率半導體行業的突破口。

2.1新能源汽車高速發展帶動汽車功率半導體需求增長迅猛

功率半導體特別的是 MOSFET 和 IGBT，是汽車電子的核心。無論是在汽車引擎中 的壓力傳感器，或者驅動系統中的轉向、變速、制動，抑或是車燈、儀表盤等儀器的 運作控制，都離不開半導體功率器件。

相對傳統燃油車，新能源汽車功率半導體使用量更大。根據 Strategy Analytics 的分 析，在傳統內燃機車上，功率半導體價值為$71，占據車用半導體總價值的 21%;而 對于混合動力車，則在傳統內燃汽車基礎上新增的功率半導體價值為$354，占據新 增總價值的 76%;在純電動車上，功率半導體價值為$387，占據車用半導體總價值 的 55%。

2.1.1政策扶植疊加汽車智能化，新能源車市場需求大幅擴大

新能源汽車消費增長迅速，帶動汽車電子消費。在 2007 年，國內新能源汽車的總生 產量為 2,179 輛，而在 2017 年，國內生產量已經達到了 819,991 輛，年復合增長率 達到了驚人的 93%，且同比增長均穩定在 50%以上。而新能源汽車銷量則從 2011 年的 15,736 輛增長到了 2018 年的 6,185,699 輛，年復合增長率為 111%。

2.1.2充電樁市場受益于電動車消費增長快速

作為新能源汽車不可缺少的配套措施，汽車充電樁也是對功率半導體增長的驅動力 之一。目前汽車充電樁的核心功率模塊有兩種:一種是采用 IGBT 芯片;另一種為采 用 MOSFET 芯片。國家能源局在《電動汽車充電基礎設施建設規劃》草案中提出， 到 2020 年國內充換電站數量將達到 1.2 萬個，充電樁達到 450 萬個。中國產業信息 研究院數據預計到 2020 年國內充電樁功率器件市場規模有望超過 35 億元。

2.1.3應用需求驅動碳化硅等器件良好發展前景

寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢， 成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。

GaN功率半導體的市場應用領域偏向中低電壓范圍，集中在 1000V 以下。在射頻通 信方面，GaN 技術正助力 5G 通信的發展。5G 技術不僅需要超帶寬，更需要高速接 入，低接入時延，低功耗和高可靠性，以支持海量設備的互聯。GaN 功率器件可以 提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

SiC功率半導體在 1000V 以上的中高電壓范圍內更具優勢。在滿足同等性能要求時，采用具有高溫、高壓、高頻優勢的碳化硅材料制作的功率器件，可以比硅材料的更薄、 更輕、更小巧。而碳化硅的高溫、高壓、高頻的優勢恰好滿足新能源汽車的應用需求。

相較于硅器件，SiC 器件在新能源汽車上的使用有三個優點:

第一， 在相同電池包的情況下能帶來里程的提升;

第二， 減小電動車的重量;

第三， 提高車的功率密度。

因此隨著新能源車的發展，碳化硅器件性能上的優勢將推進碳化硅器件市場規模的 擴張，也將促使更多的功率半導體企業將目光聚焦在碳化硅器件上。

隨著 5G 建設和逐步商用，GaN 市場迎來高速發展。Yole 預計到 2023 年射頻 GaN 的市場規模將大幅擴張 3.4 倍達 13 億美元，2017~2023 的年復合平均成長率 CAGR 為 22.9%。2016 年全球 GaN 器件市場規模 165 億美元，到 2023 年將達到 224.7 億 美元。同時 Yole 預計全球 SiC 功率半導體市場將從 2017 年的 3.02 億美元成長至 2023 年的 13.99 億美元，2017~2023 年的市場規模年復合成長率(CAGR)為 29%， 推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。

2.2制造業升級，工業自動化促進功率半導體需求穩步增長

工業領域是功率半導體的支柱領域之一，擁有著龐大的功率半導體市場。根據中商 產業研究院的數據，全球的工業功率半導體的市場規模在 2017 年為 98 億美元，并 將在 2020年達到 125 億美元，且增長速度十分穩定，均維持在 8%左右。功率半導 體在工業領域，主要發揮著控制電壓、電流和變頻的作用。

2013年德國提出了工業 4.0 的高科技計劃，也被稱為第四次工業革命。其核心在于 是智能集成感控系統，可以主動排除生產障礙，此外在中國制造升級以及美國制造業 振興計劃中，也都重點強調了這一點。可見高度自動化以及智能化將會是現在以及未 來世界工業發展的核心所在。而功率半導體則是實現自動化中不可缺少的一塊，從控 制到加工，都離不開安全、高效的功率IC以及傳感器。因而世界范圍內政策上的扶 持將會增大對功率半導體的需求，從而擴大功率半導體的市場。

2.3家居市場變頻化智能化提升功率半導體需求

消費類電子也是功率半導體器件供應的重要領域。除了傳統手機產品，家用電器產品 如電視機、電腦、冰箱、空調、照明等均開始步入節能降耗的時代，變頻家電以及智 能家居則是當下最為熱門的概念。

2.3.1變頻家電更優能耗，市場快速增長

相對于傳統的家電產品，變頻家電產品在能效、性能及智能控制等方面有明顯的先 天優勢，主要應用于空調、微波爐、冰箱、熱水器等耗電較大的電器。例如，變頻冰 箱其凍能力比普通冰箱提高 20%，節能比普通冰箱提高 40%左右，而噪音則降低了 2~3dB。

變頻家電的市場前景廣闊。根據 IHS 的數據，2017 年全球家用電器銷量約 7.11 億 臺，其中可變頻家電數量為 2.44 億臺，占比為 34%。預計到 2022 年可變頻家電銷 售量將達到 5.85 億臺，占比達到 65%。

英飛凌的數據顯示從不可變頻家電到變頻家電，單位家電中的半導體價值從$0.79 增 長到$10.67，且絕大部分的增加價值均屬于功率半導體，因此全球家用電器變頻化也 將推動家電領域功率器件的發展。

2.3.2智能家居逐步普及激發功率半導體系統化解決方案需求

智能家居是物聯網的朝陽產業，它通過物聯網技術將家中的各種設備(如音視頻設 備、照明系統、窗簾控制、空調控制、安防系統、網絡家電等)連接到一起，提供家 電控制、照明控制、電話遠程控制、室內外遙控、防盜報警、環境監測、暖通控制、 紅外轉發等多種功能和手段。與普通家居相比，智能家居不僅具有傳統的居住功能， 兼備建筑、網絡通信、信息家電、設備自動化，提供全方位的信息交互功能。但要做 到“智能”，就需要配備合適的功率半導體解決方案的設備和系統，它們使得智能家 居的各個器件能夠準確的收集實時數據并做出及時相應。

根據 ABI 市場數據的研究預測，全球智能家居市場規模將從 2016 年的$300.2 億美 元增長到 2022 年的 1254 億美元，年復合增長率達到 25%。而在中國，智能家居的 滲透率僅僅占據 0.1%，遠遠落后于美國(5.8%)等發達國家。但隨著經濟的增長以 及國民對生活質量要求的不斷提高，智能家居在中國將會獲得迅速發展。根據中國產 業信息網的分析，預計在 2020年，中國的智能家居滲透率將達到 0.5%，且整體的 總市場規模也將超過千億規模。

2.4 5G 通訊建設和設備升級促進大量功率半導體需求

通訊行業也是功率半導體行業的一大終端市場，常規應用包括信號基站、交換機、光端機、路由器等。其中信號基站占據半壁江山。

5G 通信對功率半導體的刺激作用主要在兩個方面，一方面是 5G 是高流量數據處理， 5G 基站能耗是 4G 基站的 3 倍，本身 5G 時代的基站建設帶來更多的電源管理需求， 從而刺激功率半導體的需求;另一方面是 5G 時代相應消費電子設備如手機對功率 半導體的需求有顯著增長，PA 單機數量增加會促進砷化鎵功率器件需求，5G 手機 端大數據流也將推動手機電源管理 IC 的需求。5G 的核心技術 Massive MIMO 中， 對由功率 MOSFET 構成的射頻器件的需求量大大提升。據中國產業信息研究院的數 據，通訊功率半導體市場將從2017年的 57.45 億美元上升到 2021 年的 70.81 億美 元。增速也從 3.38%增長至 7.35%。當前 5G 正處于建設階段并將逐步商用，相較 于 4G，數據傳輸速率和延遲均有著更高的要求，這強有力的推動了通訊領域功率半 導體的發展。

2.5智能電網和光伏發電進一步推動功率半導體發展

功率半導體在新能源領域也有較多應用，例如光伏發電和智能電網。具體而言，在發 電過程中，光伏電池板產生的電流產生的是直流電，而由于太陽光強弱會改變等特性， 其產生電流也往往不穩定，無法直接輸送入電網之中，因此需要有 MOSFET、IGBT 參與的整流器、逆變器。而在電流傳輸過程之中，如采用高壓直流輸電，則需要大功 率晶閘管、大功率 IGBT等功率器件，而采用柔性交流輸電技術也需要大量使用 IGBT 等功率半導體器件。而在進入家庭之前，需要將高壓電降至家用電壓，而功率半導體 更是電力電子變壓的關鍵器件。在風力發電過程之中，同樣也大量的需要功率半導體。

智能電網具備可靠、自愈、經濟、兼容、集成和安全等特點。基于半導體技術與電力 技術的融合，其增強了電網的靈活性和可靠性，是智能電網的先進控制和調節手段。 傳統的機械式控制手段，響應速度慢、不能頻繁動作、控制功能離散，而大功率電力 電子器件作為智能電網的核心部件具有更強、更快、更有效的功能特點，最終使得智 能電網實現電力高效節能的傳輸。

傳統能源消耗對地球造成不可逆的破壞，因而新型能源越來越受重視，近些年新能源 市場發展快速，從全球范圍來看，風能太陽能發電增長都十分穩定和快速。風力發電 消費量從 2008 年的 219.12 億萬瓦時增長到了 2017 年的 1122.7 億萬瓦時，年復合 增長率達到 17.7%;光伏發電從 2008 年的 12.22 億萬瓦時增長到 2017 年的 442.64 億萬瓦時，年復合增長率更是超過了 43%。

3.產業政策護航，功率半導體是中國“芯”的最好突破口

3.1發達國家對中國技術封鎖由來已久，中國芯自主可控勢在必行

《瓦森納爾協定》允許成員國在自愿的基礎上對各自的技術出口實施控制，但實際上 成員國在重要的技術出口決策上受到美國的影響，中國、伊朗、利比亞等均在這個被 限制的國家名單之中。在中美高技術合作方面，美國總是從其全球安全戰略考慮，并 以出口限制政策為借口，嚴格限制高技術向中國出口。美日歐等國家在高端技術領 域對中國進行了嚴密的封鎖，其中包括部分高技術功率半導體器件，例如抗輻照 MOSFET、寬帶大功率高頻氮化鎵功率管。

2019年，特朗普宣布將華為納入出口管制“實體名單”，美國將全方位對華為進行技 術禁運，根據 2018年底華為公布的 92 家核心供應商名單，美國有 33 家，主要為半 導體和軟件公司;而隨著中美貿易戰的不斷升級，除去美國公司外，部分歐美公司受25%材料或技術來源于美國影響也被迫中止合作。核心芯片的缺失導致大陸半導體 產業鏈面臨“卡脖子”風險，關乎國家戰略安全，我國半導體國產化之路勢在必行， 對應的國內半導體企業也將迎來發展良機。

3.1.1應對技術封鎖，大陸積極出臺政策支持產業技術突破

為了打破西方國家的技術封鎖，中國陸續出臺了多項政策以支持半導體行業的發展。 早在 1988年，國家科技部組織實施了“火炬計劃”以充分發揮中國科技力量的優勢 與潛力來促進中國高新技術的發展，扶持了諸如“臺基股份”、“泰科天潤”等功率半 導體公司的發展壯大。2006 年國務院在《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006- 2020 年)》中提出《極大規模集成電路制造技術及成套工藝》項目，因次序排在國家 重大裝箱所列16個重大專項第二位，在行業內被稱為“02 專項”，其目標為在集成 電路相關技術上縮小與世界先進水平的差距。02 專項提出至今已經有十多年，項目 支持了許多企業功率半導體技術的發展

3.1.2集成電路大基金為產業公司注入新鮮血液，助力企業長期發展

2014年 6 月，國務院頒布了《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出設立國家集成電路產業基金(簡稱“大基金”)，將半導體產業新技術研發提升至國家戰略高度。

大基金一期(2014.09 – 2018.05)已經投資完畢，總投資額達到 1387 億元，累計決 策投資項目達到 70 個左右，涉及公司 52 家，投資范圍涵蓋集成電路產業上、下游 各個環節。其中，集成電路制造占 67%，設計占 17%，封測占 10%，裝備材料占 6%。受政策扶持影響，集成電路制造業進入高速增長階段。

大基金二期也已進入募資階段，據主流媒體報道二期規模會超過一期，達到1500億 元以上，中國證券報稱二期募資將超過 1500 億人民幣;經濟參考報預計二期目標是 募集 1500億-2000 億元;華爾街日報則預計二期募集將達474億美元，合計人民幣 約 3000 億。產業大基金政策的扶持將繼續為集成電路產業的發展注入強大的動力。

在功率半導體領域，大基金也進行布局支持產業發展。2016 年 2 月 3 日，杭州士蘭 微發布公告，公司將與國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同投資建設8英 寸芯片生產線，共增資 8 億元，公司增資 2 億，大基金增資 6 億。此外三安光電控 股股東三安集團與大基金簽訂了股份轉讓協議，截至 2019 年一季度，大基金持有三 安光電股份比例 11.3%，為公司第二大股東。大基金投資范圍涵蓋產業鏈上下游，功 率半導體作為其中一個重要分支也獲得產業基金的支持。

除國家集成電路產業投資基金外，多個省市也相繼成立或準備成立集成電路產業投 資基金，目前包括北京、上海、廣東等在內的十幾個省市已成立專門扶持半導體產業 發展的地方政府性基金。截止 2019 年 5 月，由大基金撬動的地方集成電路產業投資 基金已達 5836 億元。

3.2功率半導體是國產芯片最好的突破口

3.2.1功率半導體潛在市場期待本土化

中國是全球最大的半導體消費國，但各類半導體器件和芯片的自給率低。大陸地區雖 然已誕生數家功率半導體企業，但產品主要集中在中低端領域，各類功率半導體器件 和功率 IC的國產化率不足 50%。

盡管大陸功率半導體市場需求占全球市場約 40%，但國際巨頭占據國內市場絕大部 分份額，全球市占率靠前的企業中并沒有來自本土。2017 年全球營收規模最大的功 率半導體廠商英飛凌在中國實現的營收是國內半導體廠商華微電子的8倍。Yole 數 據顯示 2017 年大陸功率半導體產品國產化率均低于 50%，進口可替代空間巨大。隨 著中興華為事件的持續，下游國產廠商對功率半導體國產替代意愿明顯，這將有利于 國產功率半導體廠商更容易進入下游客戶的產品驗證。

3.2.2新一代半導體材料初步發展，中國企業已開始布局

自從 1957 年第一個硅二極管問世以來，硅材料由于其穩定的性質、制取方法簡單、 低廉的成本等因素，迅速成為功率半導體核心材料，但硅器件性能已經逐漸接近其物 理極限。但隨著科技的發展，軌道交通、智能電網對功率半導體提出了更高耐壓的需 求，工業控制、5G 設備則需要更高的響應頻率。

第三代半導體材料可以滿足現代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要 求，且其擁有體積小、污染少、運行損耗低等經濟和環保效益，因此第三代半導體材 料正逐步成為發展的重心。當前主流的第三代半導體材料為碳化硅與氮化硅，前者多 用于高壓場合如智能電網、軌道交通;后者則在高頻領域有更大的應用(5G 等)。功 率半導體市場主體被國外公司主導，在新一代半導體材料上國內公司也已取得一定 成就，正在積極追趕。

在碳化硅方面，國內公司已經逐步形成完整產業鏈，可以生產新一代的碳化硅功率半 導體;在氮化鎵方面，國內目前諸多高等院校、研究機構、公司廠商，已經進行了大 量研究，擁有大量的專利技術;在氧化鋅方面，國內已經成功生長出近兩英寸的單晶 片，處于世界領先水平。

作為第三代半導體的代表材料，碳化硅市場發展迅速。據 IHS 數據，2017 年的碳化 硅市場總量為 3.99 億美元，而在 2023 年將會達到 16.44 億美元，年復合增長率達 到 26.6%。其中，發展最大的是新能源汽車領域，年復合增長率達到了驚人的 81.4%。

從二十世紀九十年代開始，碳化硅材料開始進入市場化。Cree 上世紀末就開始進行 碳化硅的研發工作，并在世界各國申請了多項專利，造成技術上的壟斷，制約了其他 公司的發展;羅姆半導體從 2000 年開始對碳化硅技術的研究，并在 2009 年收購了 SiCrystal;英飛凌擁有雄厚的資本優勢，這導致目前碳化硅市場主要由這三家把控。 而碳化硅晶圓市場，則更是幾乎由科瑞、羅姆半導體、II-VI 國際公司壟斷。

在國內如揚杰科技、中車、中電 13 所等公司及研究機構也加大對碳化硅器件的研究， 逐步打破國外公司的封鎖，目前也已經形成完整的碳化硅產業鏈——即上游襯底、中 游外延片、下游器件制造。

與碳化硅相比，氮化鎵適用于超高頻功率器件領域，氮化鎵器件最高頻率超過106 Hz，功率在1000W左右，開關速度是碳化硅的四倍。但氮化鎵目前尚處于起步階段，市場規模較小。但隨著5G 時代的到來、無線充電技術的興起、電網對輸電性能要求提高將給予氮化鎵功率器件市場爆炸式增長。IHS 預測，在 2018 年，氮化鎵功率器件 市場規模約為 9000 萬美元，但在 2027 年時，將會突破 10 億美元。

氮化鎵處于剛剛起步狀態，市場格局尚不明朗。但可以根據研究機構、公司擁有氮化 鎵的專利情況去預測。根據 Knowmade的數據，截止 2018 年底，全球氮化鎵專利 族擁有數量最多的依舊是科瑞、東芝這些國際廠商，但中國企業也已占據一席之地: 中國中車排名第四，西南電子科技大學排名第八，前十五名中共有五家中國機構。而 在納入了專利的技術含量、實用性等性能的考量之后，根據Yole的數據，中國企業 依舊占據一席之地。

除在專利技術上緊跟世界前沿外，從單晶襯底、晶圓代工，到外延片技術，在到功率 器件或者射頻器件的生產等環節，中國企業也已開始了全產業鏈的布局。

在產業鏈之中，國內不少公司也掌握著較為獨到的技術，如納維科技是國際上為數不 多能批量提供 2英寸氮化鎵單晶產品的單位;士蘭微也即將具備 8 英寸氮化鎵功率 器件制造技術;三安光電更是早早就布局新一代半導體材料技術，目前是國內唯一一 家有能力批量制造氮化鎵外延和芯片的企業。

氮化鋁相較于氮化鎵擁有更高的熱導率，更容易實現半絕緣;而與碳化硅相比，則晶 格失配更小，有效提高器件性能。氧化鋅的激子束縛能比其他材料高很多，使得其在 室溫下更穩定，且激發效率更高，是一種在國防建設與經濟上都有重要應用的多功能 晶體。氮化鋁、氧化鋅等第三代半導體材料目前還處于實驗室階段，尚未進入在市場 上形成完整產業鏈。

整體而言，第三代半導體技術尚處于發展狀態，還有許多不足之處。以當前運用程度 最高的碳化硅為例，其技術上尚有幾個缺陷:

• 材料成本過高。目前碳化硅芯片的工藝不如硅成熟，主要為 4 英寸晶圓，材料的 利用率不高，而 Si 芯片的晶圓早已經發展到 12 寸。具體而言，相同規格的產品， 碳化硅器件的整體價格達到硅器件的 5-6 倍。
• 高溫損耗過大。碳化硅器件雖然能在高溫下運行，但其在高溫條件下產生的高功 率損耗很大程度上限制了其應用，這是與器件開發之初的目的相違背的。
• 封裝技術滯后。目前碳化硅模塊所使用的封狀技術還是沿用硅模塊的設計，其可 靠性和壽命均無法滿足其工作溫度的要求。

3.2.3平衡產業鏈上下游，減少進口依賴

據 IBS 預測，人們對于電子化智能化生活要求的提高，未來中國半導體市場將進一 步擴大，預計在2027年可達 5000 億美元,市場前景可期將為國內半導體公司帶來發 展機遇;但也面臨挑戰，半導體公司創新技術不足或將面臨淘汰。目前國內半導體市 場規模占全球 41%，而本土半導體產業供應僅為 12%，其中包括產業鏈上游無晶圓 芯片設計銷售占全球 11%與產業鏈下游純晶圓代工廠的 7%。

我國半導體產業鏈及不平衡，下游領域我國在應用層面已十分成熟，但在中上游領域 遠遠落后與國際先進水平，這使得本國上游企業無法滿足下游領域旺盛的需求，只能 大量依賴進口，依賴比例近 90%。突破技術難關，提升產品質量，實現進口替代將 一直是我國半導體行業發展方向。

3.2.4國產廠商厚積薄發，逐步獲得階段性成果

2017年中國功率 MOSFET 市場規模 26.39 億美元，占據全球 67.12 億元市場規模 的 39.3%，中國功率 MOSFET 市場需求量與中國企業供給量存在巨大差距，中國功 率 MOSFET 行業存在進口替代空間。

MOSFET領域國內廠商在中低端領域逐步實現進口替代。大陸企業憑借較強成本控 制能力在中低端領域逐步打開市場，實現進口替代。MOSFET 領域也有通過外延并 購方式獲得國際領先廠商先進產能和技術的案例，如原恩智浦標準器件部門被中國 資本收購成為獨立公司安世半導體，現被上市公司聞泰科技收購。外延方式獲得先進 廠商是實現大陸功率半導體技術飛躍發展的捷徑，但在新國際形勢下這種途徑無疑 變得越發困難，自主創新依舊是中國的必走之路。

IHS數據顯示，中國功率 MOSFET 供應商排名依舊是英飛凌、安森美、瑞薩等國際 先進廠商排名靠前，但也可以樂觀的看到國內安世半導體、士蘭微等企業上榜，表明 國內企業產品已得到市場認可，尤其安世半導體作為前 NXP 旗下部門，已掌握高中 低端全系列分立器件和功率器件技術，未來將繼續引領國內企業向國際廠商占領的 市場發起挑戰。

隨著國內的持續研發投入，近幾年國內 IGBT 技術發展取得不錯的進步，國外廠商 壟斷狀況有所打破，已取得一定的成果:

• 中車集團的西安永電電氣公司生產的 6500V/600A IGBT 功率模塊已成功下線， 使其成為全球第四個、國內第一個能夠封裝 6500V 以上電壓等級 IGBT 的廠家。
• 華潤上華和華虹宏力基于 6 英寸和 8 英寸的平面型和溝槽型1700V、2500V 和 3300V IGBT 芯片已進入量產。
• 士蘭微電子推出了應用于家用電磁爐的1350VRC-IGBT系列產品。士蘭微電子 的 600V 單管 IGBT 產品已經在電焊機和 IPM 領域大規模應用。
• 比亞迪發布車規級 IGBT4.0，電流輸出能力較當前市場主流的 IGBT 高 15%; 而在同等工況下，綜合損耗降低了約20%

IGBT領域市場端國內廠商尚未形成規模。由于 IGBT 開發難度大，產品驗證周期長， 可靠性要求極高，產品替代周期蠻長，作為起步晚的國內企業還面臨技術和市場的雙 重困難。IHS數據顯示，中國功率 IGBT 供應商排名前十幾位均為傳統 IGBT 海外廠 商，尚沒有本土企業身影。隨著國內企業技術的不斷突破，未來在市場端將逐步出現 本土企業身影。

3.2.5國際廠商供不應求，國內廠商接機攻入市場

受 8 寸硅晶圓缺貨價格上漲和國際廠商產能向汽車等高端產業切換等因素影響，導 致 2017 年以來 MOSFET、IGBT 等功率器件一直呈現緊缺上漲形勢，交期延長。根 據富昌電子最新的市場行情分析報告顯示，低壓MOSFET、高壓 MOSFET 在 2019 年一季度仍然表現出交期延長且價格上漲的趨勢。這也為國內企業進入市場創造良 好的機會，我們也看到士蘭微等企業2018年器件收入實現 28.5%的同比增長。

3.3海外龍頭深耕細作長期占據行業頂尖位置

目前在功率半導體市場方面，由于國際廠商起步更早，并且通過行業間的相互整合， 已發展成規模體量巨大的國際巨頭，國際廠商制造水平遙遙領先，占據市場主要份 額。在功率分立器件以及功率模組方面，英飛凌連續十五年獨占鰲頭，占據著全球最 大市場份額，而在模擬和功率IC方面，德州儀器已連續三年排名該領域世界第一。

根據 IHS 統計的調查顯示，在當下市場前景較好的 IGBT 器件和 IGBT 模塊方面、市 占率前十均為國際廠商，英飛凌在該領域占據 IGBT 領域統治地位，分別以 38.5% 和 32.6%的市場份額遙遙領先其他企業，是第二名富士電機的三倍以上。英飛凌憑 借優秀的產品品質充分享受中國軌道交通的發展紅利，中國的動車組和高鐵就大量 使用的是英飛凌的 IGBT產品。一輛 8 節編組動車包含 128 個英飛凌 IGBT 模塊為 整個列車提供了 10 兆瓦的功率，每輛列車共裝有 4 臺變流器，每臺搭載了 32 個英 飛凌 IGBT 模塊。每個模塊含 24 個 IGBT 芯片和 12 個二極管芯片，每個模塊標稱電 流 600 安，可承受 6500 伏高的電壓。

在 MOSFET 領域，英飛凌同樣占據世界領先位置，2017 年市場份額 26.3%，超過 第二名的 2 倍。公司還是全球汽車級 MOSFET 的領導者，在 2015-2016 財年，公 司售出超過 15 億顆汽車級 MOSFET 器件，全球每款新車平均配備了 18 顆英飛凌 MOSFET 器件，而在高端電動汽車中數量則高達 250 顆。IPM 內置的驅動和保護電 路使系統硬件電路簡單和可靠，IPM 模塊廣泛用于驅動電機，在 IPM 模塊方面，三 菱電機領先全球，該領域同樣沒有國內企業身影。

3.3.1英飛凌(Infineon)-全球功率半導體分立器件航母：略

3.3.2德州儀器(TI)-全球模擬 IC 和功率 IC 的巨頭：略

……

3.3.3他山之石可以攻玉，國際大廠發展路徑值得借鑒

公司逐漸崛起成為龍頭企業或許有著其不可復制的偶然性與巧合，但在這些背后所透露出來的發展理念以及共性值得學習。

精簡業務組合，加強優勢產業

第一個集成電路就誕生于德州儀器，從此德州儀器一直是集成電路行業的領跑者，但 隨著集成電路產業的快速激增，德州儀器的發展速度無法跟上，于是德州儀器放棄了 在數字電路上的廣大市場，專心發展于模擬集成電路這一領域;而由于模擬 IC 的多 元化導致模擬 IC 的種類不斷的增多，因此德州儀器也不停的開展對其他相關公司進 行并購來進入模擬 IC 領域的新賽道，以保障其龍頭地位。

英飛凌的例子也，從其上市開始，便在不停地剝離劣勢產業，如奇夢達、光纖部門、 通信部門等，將全部精力放在功率半導體器件上，而在其成為功率半導體龍頭之后， 再對本身較為強勢的車用半導體以及智能卡進行加強，其智能卡領域在 16 年超越 NXP 成為龍頭，以及在 2019 年完成對 Cypress 的收購后，預計在 2020 年將成為 車載半導體領域的龍頭。

強調科研開發，重視人才招納

德州儀器十分重視科研開發。在 1952 年，電子行業尚未興起之時，德州儀器便開始 進行晶體管的制造與銷售，并隨后建立了中央研究室。而第一個商用硅晶體管、第一 個集成電路、第一個邏輯芯片等當下半導體的核心器件都誕生于此。而現在，TI 與

七十幾所大學合作，共設立了近百個實驗室。同時，德州儀器每年投入近百億人民幣 進行科研開發所用，占其公司總營收的 10%。

相較于一路領跑的德州儀器，英飛凌的發展則更具說服力。在 1999 年英飛凌剛剛上 市之時，英飛凌在科研投入占據其總營收的 35%!而后面，隨著企業規模的不斷擴 大，雖然其在諸如生產、銷售上的成本不斷提高，導致其科研投入占比不斷下降，但 其凈科研投入規模卻始終保持增長狀態，2018 年英飛凌在科研上投入8.36億歐元， 約為人民幣 65 億元，約占營業收入比例為 11%。

對比海外功率半導體公司，國內的功率半導體公司無論是在研發投入比例上除少數 公司外均低于海外公司，這也與本土企業盈利能力不強有關，只有開發出有競爭力的 高附加值產品，為企業創造利潤，進而能帶動研發投入增加，形成良性循環。

借助資本力量，外延式并購打造強大平臺

無論是英飛凌還是 TI，在公司成長過程中均通過 IPO 上市進行募資，后續又不斷進 行外延式并購和擴張，深耕公司優勢主業。

半導體產業技術門檻高，技術積累周期長，外延式并購可以一方面快速獲得更多的核 心技術和優秀團隊，圍繞主業打造專利護城河，提高行業進入門檻，另一方面半導體 領域技術創新容易快速引發行業格局變化，外延式并購也達到消除潛在競爭對手的 目的，并且對于上市公司而已外延式并購可以快速增厚公司業績，增強投資者信心， 進一步利于公司融資再投資。

4.投資邏輯

4.1投資主線

國內功率半導體產業發展邏輯:

• 功率半導體全球來看并非寡頭壟斷，功率器件和電路應用十分廣泛，細分領域和 產品多而分散，市場多樣化，研發投入相對低是最突出的特征，公司運營風險相 對低，因此國內企業具備進入該領域的機會，在特定領域或細分方向國內企業可 以找準賽道打造自身優勢，形成細分領域的競爭優勢。
• 國內企業規模和技術普遍大幅弱于國際廠商，國際大廠還具備專利優勢，但功率 半導體發展歷史久遠，很多基礎器件專利已過期，國內企業可以針對相關產品在 前人成果基礎上進行突破和創新將更加高效。另據華潤微電子測算，全球功率半 導體技術人才 20%為華人，通過人才的流動和引進，國內企業已逐漸掌握相關技 術的 Know-how。
• 功率半導體產品追求高可靠性，制程要求低于數字電路或存儲領域，并不遵循摩 爾定律，這為制造端國內企業追趕國際廠商留出機會。但客戶端壁壘更高，功率 半導體的驗證周期長，成本敏感度低，但國內廠商在服務和交期上可以建立優勢， 下游市場在大陸，在產品品質做到一致的情況下，服務端做到及時和高效，交期 優于國際廠商，國內廠商還是會逐步贏得市場認可和客戶訂單。
• 華為、中興事件反應國際廠商對我國先進技術封堵之心昭然若揭，以市場換技術 的路徑將越來越難，半導體自主可控已上升至國家戰略層面，下游廠商擔憂芯片 過度依賴海外廠商，卡脖子風險將會造成公司停擺，因此國內半導體廠商迎來黃 金發展期，客戶端驗證將易于從前。但當前產業最大瓶頸不在于技術，而是人才 缺乏，當前有國內政策支持，人才團隊引進將變得相對容易，并伴隨資本持續進 入該領域，行業人才的待遇將得到改善，也將吸引更多的人才進入該領域。

現今新能源已成為功率半導體最大的市場，尤其是在新能源汽車需求持續走高的條 件下，市場對于功率半導體的需求量呈現穩步上漲。在軌道交通、智能電網以及變頻 家電等領域，功率半導體市場表現也十分活躍。縱觀整個功率器件市場，行業領先企 業均為歐美日廠商，如英飛凌、NXP、TI、瑞薩等，國內仍處于起步階段。伴隨政策 和資本市場的支持，國內半導體產業發展路徑將更加清晰，市場的需求和進口替代的 緊迫性將促進國內企業逐步成長壯大。目前國內功率半導體發展已取得一定成績，但 進口依賴程度依舊很高，國內企業有巨大成長空間，我們推薦關注研發實力較強并有 自主制造能力的國內公司，重點關注業績穩定可持續的企業。

轉載自未來智庫www.vzkoo.com。

（報告來源：國元證券；分析師：劉單于）