工品小編詳細(xì)說說如何選擇IGBT驅(qū)動(dòng)以及IGBT門極驅(qū)動(dòng)電阻如何計(jì)算

柵極驅(qū)動(dòng)電壓VGE與柵極電阻RG對(duì)IGBT的主要影響參見表1。需要一說明的是，這里的IGBT指的是N型IGBT。

表?1?中的內(nèi)容可以佐證以下值得我們關(guān)注的結(jié)論。
·1. ?VGES遠(yuǎn)不止手冊(cè)給出的土20V(第3章已指出)，進(jìn)行實(shí)際測(cè)定并?留有合適的裕量、選擇比較高的柵極正向偏置電壓利大于弊。
·2. 增加VGE能夠增加IGBT的飽和深度，但大于15V以后對(duì)飽和壓降的影響也是微乎其微的。
·3. 反向偏置電壓的絕對(duì)值越高越有利，一般推薦的數(shù)值是—5~—15V。實(shí)際上，如果確定是安全的，—20V也許更為合適。
·4. 表面上看，RG似乎取比較小的值有利，因?yàn)闇p小dv/dt的問題更為重要——發(fā)射極有限流電阻時(shí)，還能加強(qiáng)反饋?zhàn)饔茫岣逫GBT的穩(wěn)定性。因此，當(dāng)開關(guān)功耗不是主要矛盾時(shí)，應(yīng)該選擇比較大的RG，如高壓應(yīng)用場(chǎng)合，就應(yīng)該選擇比較大的RG值。

IGBT是通過門極電容的充放電來控制開通和關(guān)斷，門極電容的充放電通過門極驅(qū)動(dòng)電阻來控制，門極驅(qū)動(dòng)電阻的大小影響lGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、反向偏壓安全工作區(qū)、短路安全工作區(qū)等，還與電路的EMI、du/dt、di/dt等有著密切的關(guān)系，門極驅(qū)動(dòng)電阻的選擇是驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的重要部分。附表是驅(qū)動(dòng)電阻的變化與驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)的關(guān)系。

從附表可以看出，門極驅(qū)動(dòng)電阻越大，開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)脈沖上升下降時(shí)間就越少，相反，減少驅(qū)動(dòng)電阻，開關(guān)損耗和脈沖上升下降時(shí)間就會(huì)增加。門極驅(qū)動(dòng)電流的峰值可以表示為

其中：I_GM?是門極驅(qū)動(dòng)電路輸出的峰值電流；
V_G(on)?正偏壓電源電壓；
V_G(off)?負(fù)偏壓電源電壓；
R_G?驅(qū)動(dòng)電路門極電阻；
R_G(int)?模塊內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)電阻。

總之，IGBT門極驅(qū)動(dòng)電阻可以參考以下要求：
(1)額定電流大的器件門極驅(qū)動(dòng)電阻較小，額定電流小的器件，門極驅(qū)動(dòng)電阻比較大。
(2)驅(qū)動(dòng)電阻的最優(yōu)選值可以取IGBT手冊(cè)標(biāo)注的電阻值的兩倍。由于手冊(cè)標(biāo)注的電阻往往是最小的電阻，所以可以考慮選取兩倍的電阻作為參考電阻，這樣可以保證IGBT發(fā)生特殊情況時(shí)可靠關(guān)斷。
開通電阻R_G(on)往往比關(guān)斷電阻R_G(off)小，一般開通電阻可以取到關(guān)斷電阻的1/2。

如何選擇IGBT驅(qū)動(dòng)以及IGBT門極驅(qū)動(dòng)電阻如何計(jì)算