薄膜電容的額定電壓必須與本地區(qū)電網(wǎng)電壓相符合，對(duì)于某些電壓過(guò)高或者有諧波存在的電網(wǎng)，由于高次諧波，尤其是三、五、七次諧波，能量大的，危害也屬于較強(qiáng)，在配置時(shí)，應(yīng)采取措施予以避免和隔離。注意運(yùn)行環(huán)境溫度。由于過(guò)高的運(yùn)行溫度會(huì)導(dǎo)致薄膜電容的電化學(xué)反應(yīng)加劇，影響自愈時(shí)的熱量消散，將導(dǎo)致自愈失敗或使用壽命短縮，因此，安裝薄膜電容器時(shí)應(yīng)避開(kāi)熱源，改善散熱及通風(fēng)環(huán)境。電容器柜應(yīng)設(shè)有合理的保護(hù)裝置：調(diào)整合適的延時(shí)及放電時(shí)間，投入與切除電容器組要配有限流及放電裝置。

因?yàn)楸∧る娙輧?nèi)阻小，浪涌電流可能高達(dá)上萬(wàn)安倍，為了防止新投入的電容器受到旁側(cè)先投入的電容器對(duì)其放電，所以應(yīng)設(shè)置限流保護(hù)裝置；為了保證運(yùn)行及維護(hù)薄膜電容的安全，必須設(shè)置放電裝置；投切程序應(yīng)遵守先投先切，后投后切的原則；為了防止頻繁投切，電容器組在切除時(shí)必須保留足夠容量，作為基數(shù)組。

高壓陶瓷電容器特點(diǎn)，隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展，迫切要求開(kāi)發(fā)擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的高壓陶瓷電容器。近20多年來(lái)，國(guó)內(nèi)外研制成功的高壓陶瓷電容器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機(jī)、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、宇航、導(dǎo)彈、航海等方面。

鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點(diǎn)，但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。高壓陶瓷電容器制作的關(guān)鍵5點(diǎn)，原料要精選影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此，對(duì)原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純?cè)蠒r(shí)，必須注意原料的適用性。熔塊的制備熔塊的制備質(zhì)量對(duì)瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對(duì)后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會(huì)阻礙軋膜工藝的進(jìn)行：如合成溫度偏高，使熔塊過(guò)硬，會(huì)影響球磨效率：研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會(huì)降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。

成型工藝

成型時(shí)要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過(guò)多，若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生，會(huì)影響瓷體的抗電強(qiáng)度。燒成工藝，應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度，采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對(duì)電容器的特性影響很大。岡此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強(qiáng)度高的包封料。目前，大多選擇環(huán)氧樹(shù)脂，少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進(jìn)行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹(shù)脂包封方法的，這對(duì)降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。