關(guān)鍵詞：儲(chǔ)存芯片
存儲(chǔ)芯片幾乎無(wú)處不在，在電子產(chǎn)品里面，我們都能看到它的身影。存儲(chǔ)芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。無(wú)論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實(shí)現(xiàn)多功能和高性能，以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。存儲(chǔ)芯片技術(shù)主要集中于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的應(yīng)用，為訪問性能、存儲(chǔ)協(xié)議、管理平臺(tái)、存儲(chǔ)介質(zhì)，以及多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)對(duì)業(yè)務(wù)重要性的日益提升，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)快速演變。
市場(chǎng)對(duì)DRAM和NAND的需求很多，包括來(lái)自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)、汽車、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高，哪怕經(jīng)歷了幾十年的起伏，市場(chǎng)也一直被三星、SK海力士等廠商主導(dǎo)，并已經(jīng)形成壟斷局面。有調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，截至今年第三季度，韓國(guó)芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)保持著統(tǒng)治優(yōu)勢(shì)，這主要是因?yàn)轫n國(guó)本土券商集體看好芯片業(yè)務(wù)給三星電子業(yè)績(jī)帶來(lái)的推動(dòng)作用。
報(bào)告顯示，按照營(yíng)收計(jì)算，三星電子第三季度占據(jù)了全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)44.5%的份額;另一家韓國(guó)廠商SK海力士緊隨其后，市場(chǎng)份額達(dá)到27.9%。美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三，市場(chǎng)份額達(dá)到22.9%;中國(guó)臺(tái)灣的南亞科技位居第四，市場(chǎng)份額為2.2%。雖然全球芯片市場(chǎng)將在不久后失去熱度，但隨著帶有人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品的不斷上市，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的需求仍將會(huì)繼續(xù)上漲。與中國(guó)芯片制造商相比，韓國(guó)的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，上述兩家公司在未來(lái)仍將是全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主流廠商。
隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢(shì)，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開始反轉(zhuǎn)，且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場(chǎng)為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存，DRAM需求逐漸趨緩，庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。
國(guó)內(nèi)五大存儲(chǔ)芯片廠商
一、長(zhǎng)江存儲(chǔ)
作為一家集芯片設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售服務(wù)于一體的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球客戶提供先進(jìn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)，數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布的全新3D NAND架構(gòu)XtackingTM，該技術(shù)將為3D NAND閃存提高I/O高性能、存儲(chǔ)密度，縮短產(chǎn)品上市周期。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已將該技術(shù)應(yīng)用于到第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。
二、福建晉華
由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的先進(jìn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。公司與臺(tái)灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。晉華集成電路已納入中國(guó)“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃，公司將以實(shí)現(xiàn)集成電路芯片國(guó)產(chǎn)化為己任，旨在成為具有先進(jìn)工藝與自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存(DRAM)制造企業(yè)。
三、兆易創(chuàng)新
作為一家上市公司，是國(guó)內(nèi)首家專業(yè)從事存儲(chǔ)器及相關(guān)芯片設(shè)計(jì)的集成電路設(shè)計(jì)公司。致力于各種高速和低功耗存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)研發(fā)，高技術(shù)、低功耗、低成本是其產(chǎn)品特點(diǎn)。成功研發(fā)了2008年第一顆 Serial Flash產(chǎn)品及第一款 GigaROM 產(chǎn)品，打破了國(guó)外的壟斷，均填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)的空白，2012年Serial Flash產(chǎn)品月銷量首次突破70kk，生產(chǎn)工藝提升至65nm，串行閃存領(lǐng)域市占率始終保持中國(guó)第一。
四、合肥長(zhǎng)鑫
睿力集成電路有限公司聚集了集成電路行業(yè)的領(lǐng)袖，研發(fā)、設(shè)計(jì)及制造的專家，以及國(guó)際化的經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)。秉承不斷創(chuàng)新，清廉誠(chéng)信的理念，積極培養(yǎng)本地優(yōu)秀人才，立志成為具有尖端技術(shù)開發(fā)能力和工藝制造能力的“中國(guó)創(chuàng)造”模范企業(yè)。公司一期總投資80億美元，計(jì)劃于2017年第三季度完成廠房建設(shè)，2018年實(shí)現(xiàn)正式生產(chǎn)。
五、紫光集團(tuán)
紫光集團(tuán)是國(guó)內(nèi)僅次于華為的集成電路高科技企業(yè)，通過投資讓自己處于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)軍地位。2016年始，紫光相繼在武漢、南京、成都開工建設(shè)總投資額近1000億美元的存儲(chǔ)芯片與存儲(chǔ)器制造工廠，開啟了紫光在芯片制造產(chǎn)業(yè)十年1000億美元的宏大布局。
存儲(chǔ)市場(chǎng)幾乎是一種壟斷的局面，國(guó)內(nèi)企業(yè)想要不斷突破，需要了解市場(chǎng)趨勢(shì)。如帶有各種處理器內(nèi)核的SoC以及集成更多處理能力的FPGA產(chǎn)品將在越來(lái)越多的嵌入式系統(tǒng)中扮演重要角色。對(duì)于動(dòng)態(tài)變遷的存儲(chǔ)市場(chǎng)，企業(yè)要學(xué)會(huì)創(chuàng)新，才能把握未來(lái)的市場(chǎng)，從而占據(jù)市場(chǎng)主動(dòng)。