美國知名電容器廠商CDE吸收電容,它的作用如下:
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管，以及無感泄放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的；有通過印制版連接的；更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護(hù)IGBT 安全運(yùn)行，CDE吸收電容在這方面是世界最早的鼻祖，最專業(yè)的。
CDE吸收電容雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。
電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).
尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù)。
電容量: 0.0047 to 6.8μF
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF
測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min
工作溫度: -40~+85℃目前市場出現(xiàn)較多的偷工減料的吸收電容，好進(jìn)行用低價(jià)格吸引客戶，其實(shí)這樣是不明智的，因?yàn)橐粋€(gè)吸收電容的價(jià)格和一個(gè)模塊的價(jià)格，相差的不是一點(diǎn)點(diǎn)，不能因小失大。
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