貼片電容主要分為NPO電容器；X7R電容器；Z5U電容器和Y5V電容器。它們的區(qū)別是：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。
貼片電容種類——NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5—1000pF 0.5—820pF
1206 0.5—1200pF 0.5—1800pF
1210 560—5600pF 560—2700pF
2225 1000pF—0.033μF 1000pF—0.018μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
貼片電容種類——X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 330pF—0.056μF 330pF—0.012μF
1206 1000pF—0.15μF 1000pF—0.047μF
1210 1000pF—0.22μF 1000pF—0.1μF
2225 0.01μF—1μF 0.01μF—0.56μF
貼片電容種類——Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF—0.12μF 0.01μF—0.1μF
1206 0.01μF—0.33μF 0.01μF—0.27μF
1210 0.01μF—0.68μF 0.01μF—0.47μF
2225 0.01μF—1μF 0.01μF—1μF
Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下：
工作溫度范圍10℃ — 85℃
溫度特性 22% —- -56%
介質(zhì)損耗 最大 4%
貼片電容種類——Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達 22%到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF—0.39μF 0.01μF—0.1μF
1206 0.01μF—1μF 0.01μF—0.33μF
1210 0.1μF—1.5μF 0.01μF—0.47μF
2225 0.68μF—2.2μF 0.68μF—1.5μF
Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下：
工作溫度范圍 -30℃ — 85℃
溫度特性 22% —- -82%
介質(zhì)損耗 最大 5%
貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。